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STT60GK18

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型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STT60GK18
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
86530
SIRECTIFIER
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！！

STT60GK18
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
SIRECTIFIER
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

1/1頁 40條/頁共2條
1

您是不是要找： STT6N3LLH6 STT7P2UH7 STT818B STTA106U STTA112U STTA12006TV1 STTA1206D STTA1206G STTA1206G-TR

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制造商
SIRECTIFIER
制造商全稱
Sirectifier Semiconductors
功能描述
Thyristor-Thyristor Modules

STT60GK18 技術(shù)參數(shù)

STT5N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:367pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT4PF20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.7V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:639pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT3PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:420pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT3P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STTA1212D STTA1512PIRG STTA2006P STTA2006PI STTA2006PIRG STTA212S STTA2512P STTA3006CW STTA3006P STTA3006PIRG STTA306B-TR STTA312B STTA406 STTA406RL STTA506B STTA506B-TR STTA506D STTA512B