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STT800GK16

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STT800GK16 技術(shù)參數(shù)
  • STT7P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STT6N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:283pF @ 24V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STT5N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:367pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STT4PF20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.7V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STT4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:639pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STTA2006P STTA2006PI STTA2006PIRG STTA212S STTA2512P STTA3006CW STTA3006P STTA3006PIRG STTA306B-TR STTA312B STTA406 STTA406RL STTA506B STTA506B-TR STTA506D STTA512B STTA512F STTA512FP
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