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STT8205

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說明
操作

STT8205S
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TY/臺灣半導體
SOT23-6
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

STT8205S-VB
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
385882
VBSEMI
con
24+
-

STT8205S-VB
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
385882
VBSEMI
con
24+
-

STT8205
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SeCoS
TSOP-6
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現貨！

STT8205S-VB
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
385882
VBSEMI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

STT8205S
深圳市大源實業科技有限公司
深圳市大源實業科技有限公司
聯系人：李女士
電話：1530261991513762584085
地址：深圳市龍崗區五和大道山海商業廣場C座707室
45800
SeCoS
SOT23-6
24+
-
原裝，公司部分現貨，有單來談QQ:161...

STT8205S
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
8913
SeCoS
TSOP6
14+
-
絕對公司原裝現貨

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STT8205 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STT8205 技術參數

STT818B 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 20mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1.2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT7P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT6N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:283pF @ 24V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT5N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:367pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT4PF20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.7V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STTA2006PI STTA2006PIRG STTA212S STTA2512P STTA3006CW STTA3006P STTA3006PIRG STTA306B-TR STTA312B STTA406 STTA406RL STTA506B STTA506B-TR STTA506D STTA512B STTA512F STTA512FP STTA6006TV1