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STTA12R06D

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STTA12R06D 技術參數

STTA1206D 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:TURBOSWITCH?? 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 12A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:50 STTA112U 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:TURBOSWITCH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.65V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:115ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 STTA106U 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:TURBOSWITCH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 STT818B 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 20mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1.2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT7P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STTA306B-TR STTA312B STTA406 STTA406RL STTA506B STTA506B-TR STTA506D STTA512B STTA512F STTA512FP STTA6006TV1 STTA6006TV2 STTA806D STTA806DI STTA806G STTA806G-TR STTA812D STTA812DIRG