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STTH302S/BKN

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STTH302S/BKN 技術(shù)參數(shù)

STTH302S 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:SMC 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:1 STTH302RL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:1 STTH302 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:1 STTH3012W 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.25V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:115ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-247-2（直引線）供應商器件封裝:DO-247 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:30 STTH3012D 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.25V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:115ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:50 STTH30L06CW STTH30L06D STTH30L06G STTH30L06G-TR STTH30L06GY-TR STTH30L06P STTH30L06PI STTH30L06W STTH30L06WY STTH30R02DJF-TR STTH30R03CG STTH30R03CG-TR STTH30R03CW STTH30R04D STTH30R04DY STTH30R04G STTH30R04G-TR STTH30R04PI