欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > S字母型號搜索 >

STU2071B1/DIP

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STU2071B1/DIP
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86500
ST
DIP
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

STU2071B1/DIP
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現貨，代找緊缺料

1/1頁 40條/頁共4條
1

您是不是要找： STU27N3LH5 STU2LN60K3 STU2N105K5 STU2N62K3 STU2N80K5 STU2N95K5 STU2NK100Z STU3LN62K3 STU3LN80K5

STU2071B1/DIP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STU2071B1/DIP 技術參數

STU1HN60K3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 600mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:140pF @ 50V 功率 - 最大值:27W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:299 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:718pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK（TO-251）標準包裝:75 STU16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK（TO-251）標準包裝:75 STU150N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU3N45K3 STU3N62K3 STU3N65M6 STU3N80K5 STU40N2LH5 STU4N52K3 STU4N62K3 STU4N80K5 STU5N52K3 STU5N60M2 STU5N62K3 STU5N65M6 STU5N95K3 STU5N95K5 STU60N3LH5 STU60N55F3 STU65N3LLH5 STU6N60M2