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STU3030PL

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  • STU3030PL
    STU3030PL

    STU3030PL

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28

    資質:營業執照

  • 6000

  • S

  • TO252

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
STU3030PL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STU3030PL 技術參數
  • STU2NK100Z 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 歐姆 @ 900mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):499pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU2N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):105pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK(TO-251) 標準包裝:75 STU2N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):105pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK(TO-251) 標準包裝:75 STU2N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 歐姆 @ 1.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):340pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1050V(1.05kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 750mA, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):115pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK(TO-251) 標準包裝:75 STU4N80K5 STU5N52K3 STU5N60M2 STU5N62K3 STU5N65M6 STU5N95K3 STU5N95K5 STU60N3LH5 STU60N55F3 STU65N3LLH5 STU6N60M2 STU6N62K3 STU6N65K3 STU6N65M2 STU6N90K5 STU6N95K5 STU6NF10 STU70N2LH5
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