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STULED625H

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封裝
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說明
操作

STULED625H
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ST
IPAK
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 4.5A Power FET IPAK
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
620 V
閘/源擊穿電壓
30 V
漏極連續(xù)電流
4.5 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
1.7 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
IPAK
封裝
Tube

STULED625H 技術參數(shù)

STUDIO-30630-EVB 功能描述:ICM-30630 FireFly Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer Sensor Evaluation Board 制造商:invensense 系列:FireFly 零件狀態(tài):有效傳感器類型:加速計，陀螺儀，磁力計感應范圍:- 接口:I2C，SPI 靈敏度:- 電壓 - 電源:- 嵌入式:否所含物品:2 個板使用的 IC/零件:ICM-30630 標準包裝:1 STU9N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:315pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK（TO-251）標準包裝:75 STU9N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:780 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:320pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK（TO-251）標準包裝:75 STU9HN65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:820 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:325pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU95N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STUSB1600AQTR STUSB1600QTR STUSB1602AQTR STUSB1602QTR STUSB4700QTR STUSB4710AQTR STUSB4710QTR STUSBCD01BJR STV0674T100 STV0684 STV08 STV0974E/TR STV0976 STV160NF02LAT4 STV160NF02LT4 STV160NF03LAT4 STV160NF03LT4 STV200N55F3