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STY3V

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STY3V 技術(shù)參數(shù)
  • STY34NB50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 34A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):223nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9100pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STY30NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 26A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):26A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):490nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):12000pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STY145N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 138A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):138A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 69A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):414nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):18500pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STY140NS10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 140A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):140A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 70A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):600nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):12600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STY139N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 130A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):130A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 65A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):363nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):15600pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STZ6.8TT146 STZB-SK/RAIS STZC6.8NT146 STZD3155CT1G SU-1 SU-1/2 SU-1/4 SU-10 SU10000RT3U SU10000RT3U2TF SU10000RT3UG SU1000RTXL2U SU1000RTXL2UA SU1000RTXL2UN SU1000RTXLCD2U SU1000XLA SU1000XLCD SU10K
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