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STZ6.2NG

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  • STZ6.2NG
    STZ6.2NG

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • ROHM

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  • STZ6.2NG
    STZ6.2NG

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  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業執照

  • 1900

  • ROHM

  • (T146)

  • 1015+

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  • 原裝現貨/特價

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STZ6.2NG 技術參數
  • STY80NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 74A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):74A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):360nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10100pF @ 50V 功率 - 最大值:447W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY60NM60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):266nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7300pF @ 25V 功率 - 最大值:560W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY60NM50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):266nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7500pF @ 25V 功率 - 最大值:560W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY60NK30Z 功能描述:MOSFET N-CH 300V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):300V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY50N105DK5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):1050V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):44A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):175nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6600pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):625W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 22A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:MAX247? 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 SU-10 SU10000RT3U SU10000RT3U2TF SU10000RT3UG SU1000RTXL2U SU1000RTXL2UA SU1000RTXL2UN SU1000RTXLCD2U SU1000XLA SU1000XLCD SU10K SU10K3/1X SU10KRT3U SU10KRT3UHV SU10VD-20010 SU10VFC-R03370 SU10VFC-R04250 SU10VFC-R05140
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