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TB1100M3

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TB1100M3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

TB1100M3 技術參數

TB1100M-13 功能描述:THYRISTOR PROTECT BI-DIR 50A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 導通:130V 電壓 - 斷態:90V 電壓 - 通態:3.5V 電流 - 峰值脈沖（8/20μs）:250A 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:50A 電流 - 保持（Ih）:150mA 元件數:1 電容:90pF 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 標準包裝:3,000 TB1100L-13 功能描述:THYRISTOR PROTECT BI-DIR 30A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 導通:130V 電壓 - 斷態:90V 電壓 - 通態:3.5V 電流 - 峰值脈沖（8/20μs）:150A 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:30A 電流 - 保持（Ih）:150mA 元件數:1 電容:60pF 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 標準包裝:3,000 TB-11.0592MBD-T 功能描述:11.0592MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:TB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:MEMS（硅）頻率:11.0592MHz 功能:啟用/禁用輸出:CMOS 電壓 - 電源:3.3V 頻率穩定度:±25ppm 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大值）:25mA 等級:- 安裝類型:表面貼裝大小/尺寸:0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm）高度:0.032"（0.80mm）封裝/外殼:4-SMD，無引線（DFN，LCC）電流 - 電源（禁用）（最大值）:- 標準包裝:1 TB10S-G TB-106.250MBD-T 功能描述:106.25MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:TB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:MEMS（硅）頻率:106.25MHz 功能:啟用/禁用輸出:CMOS 電壓 - 電源:3.3V 頻率穩定度:±25ppm 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大值）:30mA 等級:- 安裝類型:表面貼裝大小/尺寸:0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm）高度:0.032"（0.80mm）封裝/外殼:4-SMD，無引線（DFN，LCC）電流 - 電源（禁用）（最大值）:- 標準包裝:1 TB-12.000MBE-T TB-12.000MCD-T TB-12.000MCE-T TB-12.000MDD-T TB-12.000MDE-T TB-12.200MBD-T TB-12.200MBE-T TB-12.200MCD-T TB-12.200MCE-T TB-12.200MDD-T TB-12.200MDE-T TB-12.288MBD-T TB-12.288MBE-T TB-12.288MCD-T TB-12.288MCE-T TB-12.288MDD-T TB-12.288MDE-T TB-12.352MBD-T