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ULN2003AD/ULN2003ADR

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ULN2003AD/ULN2003ADR 技術參數
  • ULN2003AD 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:7 NPN 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:40 ULN2003A 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:7 NPN 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:16-DIP 標準包裝:25 ULN2002D1013TR 功能描述:達林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel ULN2002AN 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:7 NPN 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 ULN2002A 功能描述:達林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel ULN2003AID ULN2003AIDE4 ULN2003AIDG4 ULN2003AIDR ULN2003AIDRE4 ULN2003AIDRG4 ULN2003AIN ULN2003AINE4 ULN2003AING4 ULN2003AINSR ULN2003AIPW ULN2003AIPWE4 ULN2003AIPWG4 ULN2003AIPWR ULN2003AIPWRG4 ULN2003AN ULN2003ANE4 ULN2003ANSR
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