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ULN2003AFWGONEHZ

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制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
TOSULN2003AFWGONEHZ DRAM, SERIAL EEPROM

ULN2003AFWGONEHZ 技術參數

ULN2003ADRG4 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:1 ULN2003ADRG3 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:1 ULN2003ADR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:1 ULN2003ADE4 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:40 ULN2003AD 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:40 ULN2003AINSR ULN2003AIPW ULN2003AIPWE4 ULN2003AIPWG4 ULN2003AIPWR ULN2003AIPWRG4 ULN2003AN ULN2003ANE4 ULN2003ANSR ULN2003ANSRE4 ULN2003ANSRG4 ULN2003APG,CN ULN2003APW ULN2003APWG4 ULN2003APWR ULN2003APWRG4 ULN2003AS16-13 ULN2003BDR