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VND5N07FI

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操作

VND5N07FI
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
原廠原裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

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您是不是要找： VND5N07TR-E VND5T016ASPTR-E VND5T035AK-E VND5T035AKTR-E VND5T035ASTR-E VND5T035LAK-E VND5T035LAKTR-E VND5T050AK-E VND5T050AKTR-E

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制造商
STMicroelectronics
功能描述

VND5N07FI 技術參數

VND5N07-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND5N07-1-E 功能描述:電源開關 IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否制造商:Exar 輸出端數量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 VND5N0713TR 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND5N07-1 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND5N07 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND5T100AJ-E VND5T100AJTR-E VND5T100ATR-E VND5T100LAJTR-E VND600 VND60013TR VND600-E VND600P-E VND600PEP-E VND600PEPTR-E VND600PTR-E VND600SP VND600SP13TR VND600SP-E VND600SPTR-E VND600TR-E VND670SP VND670SP13TR