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參數資料
| 型號： | 2SD1960 |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 15V的五（巴西）總裁| 8A條一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SD1960 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2004N | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
| 2SD2004P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
| 2SD2004Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
| 2SD2005P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
| 2SD2005Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1963T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1963T100S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1979 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD19790SL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1979GSL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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