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ZABG6002Q20TC/BKN

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ZABG6002Q20TC/BKN 技術(shù)參數(shù)

ZABG6002Q20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZABG6002JB20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZABG6001Q20TC 功能描述:MOSFET FIXED BIAS GNERATORS RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZABG4002JA16TC 功能描述:MOSFET LOW POWER 4 STAGE FET LNA BIAS CTRLR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZABG4001JA16TC 功能描述:MOSFET FIXED BIAS GNERATORS RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZAEI-01-NA ZAEI-01-UNI ZAEIPEXP-01 ZAEIPEXP-01-99 ZAEIPEXP-01-UNI ZAHI3-01 ZAHI3-01-99 ZAHI3-01-NA ZAHI3-01-UNI ZAIDM-01 ZALM-301-1-B ZALM-301-1C-B ZAMP001H6TA ZAMP001H6TC ZAMP002H6TA ZAMP002H6TC ZAMP003H6TA ZAMP003H6TC