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ZAI-1BS

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ZAI-1BS 技術(shù)參數(shù)

ZAEI-01-UNI 功能描述:SMARTZONE GATEWAY EPA126 SUPPOR 制造商:panduit corp 系列:SmartZone? 零件狀態(tài):在售配件類型:網(wǎng)關(guān) 特性:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 標準包裝:1 ZABG6002Q20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZABG6002JB20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZABG6001Q20TC 功能描述:MOSFET FIXED BIAS GNERATORS RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZABG4002JA16TC 功能描述:MOSFET LOW POWER 4 STAGE FET LNA BIAS CTRLR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZAP-1G ZAP-1R ZAP-2R ZAP-2W ZAP-2Y ZAP-B ZAPDUMODKIT ZAP-R ZAP-W ZAQ-1 ZAQ-2 ZAQ-22 ZAQ-3 ZARKMS-01 ZARKMS-01-NA ZARKMS-01-UNI ZAS141-084-12L-BBU ZAS141-084-12R-BBU