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ZXMN3A04KTA

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  • ZXMN3A04KTA
    ZXMN3A04KTA

    ZXMN3A04KTA

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • DIODES

  • TO-252

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝正品現貨!

  • ZXMN3A04KTA
    ZXMN3A04KTA

    ZXMN3A04KTA

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 10000

  • ZETEX/DIODES

  • DPAK

  • 15+

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  • 原裝正品,假一罰十

  • ZXMN3A04KTA
    ZXMN3A04KTA

    ZXMN3A04KTA

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 37750

  • DIODES

  • TEL23941969

  • TO-252

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
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ZXMN3A04KTA 技術參數
  • ZXMN2A02X8TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 11A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應商器件封裝:8-MSOP 標準包裝:1 ZXMN2A01E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):303pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-23-6 封裝/外殼:SOT-23-6 標準包裝:1 ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 ZXMN10A25K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):859pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:2,500 ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):350 毫歐 @ 2.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):274pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:1 ZXMN3B01FTA ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8TC ZXMN3B14FTA ZXMN3F30FHTA ZXMN3F31DN8TA ZXMN3G32DN8TA ZXMN4A06GTA ZXMN4A06KTC ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTC ZXMN6A07ZTA ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TC ZXMN6A08GTA ZXMN6A08KTC ZXMN6A09DN8TA
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