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參數資料
型號: SIZ700DT-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 5/14頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
標準包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 16A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.6 毫歐 @ 15A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 10V
功率 - 最大: 2.36W,2.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-PowerPair?
供應商設備封裝: 6-PowerPair?
包裝: 帶卷 (TR)
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