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參數資料
型號: SIZ902DT-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 1/14頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 16A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫歐 @ 13.8A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 790pF @ 15V
功率 - 最大: 29W,66W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerWDFN
供應商設備封裝: 8-PowerPair?
包裝: 標準包裝
其它名稱: SIZ902DT-T1-GE3DKR
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