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參數資料
| 型號： | SK85MH10T_07 |
| 廠商： | SEMIKRON |
| 英文描述： | MOSFET Module |
| 中文描述： | MOSFET的模塊 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 557K |
| 代理商： | SK85MH10T_07 |
SEMITOP
2
MOSFET Module
SK 85 MH 10 T
Preliminary Data
Features
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Typical Applications
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MH - T
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Conditions
MOSFET
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Mechanical data
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M
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SK 85 MH 10 T
MOSFET,TRANSISTOR
1
16-02-2007 DIL
by SEMIKRON
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SK8BGD065E | 1-phase bridge rectifier +3-phase bridge inverter |
| SK8BGD065E_06 | 1-phase bridge rectifier +3-phase bridge inverter |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| SK860 | 制造商:CHENG-YI 制造商全稱:CHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 功能描述:MINIATURE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| SK8603150L | 功能描述:MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm RoHS:否 制造商:Panasonic Electronic Components 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:30 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:40 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:2.5 mOhms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:HS08-F4-B 封裝:Reel |
| SK8603160L | 功能描述:MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm RoHS:否 制造商:Panasonic Electronic Components 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:30 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:34 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:3.3 mOhms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:HS08-F4-B 封裝:Reel |
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