- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382517 > SKM200GB128D (SEMIKRON INTERNATIONAL) SPT IGBT Module PDF資料下載
參數資料
| 型號： | SKM200GB128D |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | SPT IGBT Module |
| 中文描述： | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE D56, SEMITRANS-7 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 721K |
| 代理商： | SKM200GB128D |
SEMITRANS
TM
3
SPT IGBT Module
SKM 200GB128D
Features
!"
# $ %
Typical Applications
& '
(
'
)*+,
GB
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Conditions
IGBT
)- ." '
Values
Units
/)**
%
%
56
7
9
" 1
)- 12-3 .
/
4** 1))*3
4**
&
&
8 )*
3
:5&%:;
&" / >
<
=* >>> /-* 1/)-3
=***
.
Inverse diode
%
@
%
@56
%
@6
)- 12*3 .
/
/* B >B
/A* 1/4*3
4**
/=-*
&
&
&
9
/-* .
Characteristics
Symbol
IGBT
)- ." '
min.
Conditions
typ.
max.
Units
713
7
7
9
)- 1/)-3 .
7
/-* &"
' '
*"
" %
# &
="-
-"-
*")
/ 1*"A3
# 123
)"4- 1)"--3
#"=-
*"#
%
*"
"
9
)- 1/)-3 .
&
1:3
/"/- 1/"*-3
2 1/*3
/- "
9
)- 1/)-3 .
C
13
%
7
/- "
/"A 1)"/3
/4
@
@
@
7
)- " / 6,
)
)
D
5
EE
)*
>"
)- 1/)-3 .
/-* &
9
/)- .
*"4- 1*"-3
/)-
-*
#)*
C
'13
#** " %
5
7
8 /-
5
7
F C"
'13
7
--
1
3
/2 1/-3
G
Inverse diode
@
%
@
.
/-* &B
7
* B
9
)- 1/)-3
) 1/"23
)"-
1:3
9
)- 1/)-3 .
9
)- 1/)-3 .
%
@
'I' =2** &IJ
*
/"/
#
/A*
)=
2
/")
2"F
C
%
556
H
/-* &B
9
/)- 1 3 .
&
J
G
7
Thermal characteristics
5
193
5
193N
5
13
Mechanical data
6
+ 6#
6
6#
%7K
% N'
'
*"*A-
LIM
LIM
LIM
*")-
*"*42
4
-
;
;
)"-
-
4)-
SKM 200GB128D
1
09-09-2005 RAA
by SEMIKRON
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SKM214A | Power MOSFET Modules |
| SKM22GD123D | CRYSTAL, 32.768KHZ |
| SKM300GAR063D | Superfast IGBT Modules |
| SKM300GAL063D | Superfast IGBT Modules |
| SKM300GB063D | Superfast IGBT Modules |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SKM200GB128D | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT MODULE HALF BRIDGE |
| SKM200GB128D_06 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:SPT IGBT Module |
| SKM200GB12E4 | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT HALFBRIDGE MOD 200A 1200V 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT halfbridge module 314A 1200V |
| SKM200GB12E4_0906 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:IGBT4 Modules |
| SKM200GB12E4HD | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 314A; Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:314A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-40C; Operating Temperature Max:175C |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。