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參數資料
| 型號： | SMA6J26A-TR |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | SMA6J26A-TR |
SMA6J
Characteristics
5/10
Figure 4.
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values) (SMA6JxxA)
Figure 5.
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values) (SMA6JxxCA)
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
V (V)
R
SMA6J5.0A
SMA6J13A
SMA6J26A
SMA6J58A
SMA6J188A
1
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
V (V)
R
SMA6J5.0CA
SMA6J13CA
SMA6J26CA
SMA6J58CA
SMA6J188CA
Figure 6.
Peak forward voltage drop versus
peak forward current (typical
values)
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (printed
ciruit board FR4, SCu = 1 cm
2)
Figure 8.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under each lead (printed circuit
board FR4, eCu = 35 m)
Figure 9.
Leakage current versus junction
temperature (typical values)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =25°C
j
T =125°C
j
0.01
0.10
1.00
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Zth(j-a)/Rth(j-a)
t (S)
p
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Rth(j-a)(°C/W)
S
(cm )
CU
2
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
25
50
75
100
125
150
175
I (nA)
R
T (°C)
j
V=
R VRM
V
11.7V
BR
≤
V
11.7V
BR
>
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDR1RSMSTX | 1 A, 1400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| SB530 | 5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SUM60FS | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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