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參數資料
型號: SMA6J7.5/51
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: TVS二極管 - 瞬態電壓抑制
英文描述: 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
封裝: PLASTIC, SMA, 2 PIN
文件頁數: 3/4頁
文件大小: 34K
代理商: SMA6J7.5/51
SMA6J5.0 thru 40A
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88389
www.vishay.com
07-May-02
3
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.VF = 3.5V at IF = 25A (uni-directional only)
Device
Breakdown
Maximum
Device Type
Marking
Voltage
Test
Stand-off
Reverse Leakage Peak Pulse Surge
Clamping
Code
V(BR) (V)(1)
Current
Voltage
at VWM
Current IPPM
Voltage at IPPM
Min
Max
at IT (mA)
VWM (V)
ID (
A)
(A)(2)
VC (V)
SMA6J33
6CL
36.7
44.9
1.0
33
1.0
10.2
59.0
SMA6J33A
6CM
36.7
40.6
1.0
33
1.0
11.3
53.3
SMA6J36
6CN
40.0
48.9
1.0
36
1.0
9.3
64.3
SMA6J36A
6CP
40.0
44.2
1.0
36
1.0
10.3
58.1
SMA6J40
6CQ
44.4
54.3
1.0
40
1.0
8.4
71.4
SMA6J40A
6CR
44.4
49.1
1.0
40
1.0
9.3
64.5
Notes: (1) V(BR) measured after IT applied for 300
s square wave pulse or equivalent
(2) Surge current waveform per Fig. 3 and derate per Fig. 2
(3) All terms and symbols are consistent with ANSI/IEEE C62.35
相關PDF資料
PDF描述
STPF1020D 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
SDR60U100DPTXV 60 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-259
SDR60U110CAPS 60 A, 1100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-259
SDR60U110CAPTX 60 A, 1100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-259
SDR60U120CTNS 60 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-258AA
相關代理商/技術參數
參數描述
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SMA6J8.0A-E3/61 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 8.0V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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SMA6J8.5A-E3/5A 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 8.5V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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