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參數資料
| 型號： | SMAJ1112 |
| 廠商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 256K |
| 代理商： | SMAJ1112 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S25A15HE | 20 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S25A80S | 20 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S6A15HE | 7.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S25A3100FR | 3 PHASE, 18 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SRM3150UF | 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SMAJ11A | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 11Vr 400W 22A 5% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMAJ11A R2 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 11V 400W 2-Pin SMA T/R |
| SMAJ11A/11 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 400W 11V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMAJ11A/2F | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 400W 11V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMAJ11A/5A | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 400W 11V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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