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參數資料
型號: SMAJ11CATR
廠商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類: TVS二極管 - 瞬態電壓抑制
英文描述: 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
封裝: PLASTIC, SIMILAR TO DO-214AC OR BA, SMAJ, 2 PIN
文件頁數: 4/5頁
文件大小: 206K
代理商: SMAJ11CATR
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2009
MSC0270A, REV L, 5-24-2009
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
SMAJ5.0 thru SMAJ170CA, e3
SURFACE MOUNT 500 Watt
Transient Voltage Suppressor
S C O T TS DALE DIVISION
GRAPHS
tw Microseconds
FIGURE 1
Peak Pulse Power (PPP) – Kilowatts versus
Pulse Width (tw) - Microseconds
C
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
SMAJ5.0–1
70CA,
e
3
FIGURE 2
Lead or Ambient Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
Pulse Waveform for Exponential Surge
FIGURE 3
FIGURE 4
Derating Curve
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關PDF資料
PDF描述
SMAJ150CTR 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
SMAJ18CTR 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
SMAJ7.0ATR 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
SMAJ8.0TR 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
SBL20L15-45 20 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
相關代理商/技術參數
參數描述
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SMAJ11C-E3/5A 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 400W 11V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMAJ11C-E3/61 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 400W 11V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMAJ11CE3/TR13 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:400W, STAND-OFF VOLTAGE = 11V, ? 10%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 400W 11V 10% BIDIR SMAJ
SMAJ11CHE3/5A 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 400W 11V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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