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參數資料
型號: SMBG110A
廠商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT
中文描述: 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 139K
代理商: SMBG110A
相關PDF資料
PDF描述
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參數描述
SMBG110A/52 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG110A/55 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG110A/5B 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG11A 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT
SMBG11A/1 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 11V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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