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參數資料
| 型號： | SMBG11A |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| 中文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | SMBG11A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG12 | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG12A | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG13 | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG13A | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG14 | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SMBG11A/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 11V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG11A/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 11V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG11A/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 11V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG11A/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 11V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG11A-E3/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 11V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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