型號: | SMBG28CA-E3/51 |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN |
文件頁數: | 2/6頁 |
文件大小: | 97K |
代理商: | SMBG28CA-E3/51 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMCG26A-E3/59T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMCJ20-E3/51T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ20A-E3/59T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
S3G/9T | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
SBLB25L20CT/31 | 12.5 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SMBG28CAHE3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 28V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG28CAHE3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 28V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG28CAHE3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 28V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG30 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBG30/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 30V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |