- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄271907 > SMBG30 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SMBG30 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SMBG30 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ20CA | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ48 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SHD1252N | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| SHD1262P | 16 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257 |
| SMS1528-50 | SILICON, UHF-C BAND, MIXER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBG30/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG30/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG30/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG30/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG30/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。