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參數資料
| 型號： | SMBG43 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SMBG43 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD101A | 0.015 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| SPB25V | 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SSM160HE | 0.75 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SB502 | 5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SPR21 | 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SMBG43A | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG43A/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 43V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG43A/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 43V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG43A/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 43V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG43A/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 43V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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