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參數(shù)資料
| 型號： | SMBG6.0 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SMBG6.0 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ20A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ24C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SM38HXC164 | 364 A, 3800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SM22PHN144 | 123 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SHD1254D | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBG60A | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:SURFACE MOUNT TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
| SMBG60A/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG60A/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG60A/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG60A/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 60V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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