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參數資料
| 型號： | SMBJ100A |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | SMBJ100A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ28CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ5.0A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ9.0C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMCJ36A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ40A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SMBJ100A R4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 100V 600W 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ100A R5 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 100V 600W 2-Pin SMB T/R |
| SMBJ100A/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 100V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ100A/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 100V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ100A/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 100V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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