型號: | SMBJ10CAT1 |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 41K |
代理商: | SMBJ10CAT1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJ130AT3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ160AT3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ17CAT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ58T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ8.0CT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SMBJ10CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 10V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ10CA-TR | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ10CE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 10V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
SMBJ10C-E3/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 10V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ10C-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 10V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |