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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SMBJ30 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | SMBJ30 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ5.0A-7 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ6.5 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ60C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ64A-7 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ7.5A-7 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBJ30/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ30/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ30/2 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SMB 600W 30V |
| SMBJ30/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ30/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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