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參數資料
| 型號： | SMBJ40C |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | SMBJ40C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ48A.TB | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMCJ100.TF | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ100CA.TF | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ110CA.TB | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ15A.TB | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SMBJ40C/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 40V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ40C/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 40V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ40C/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 40V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ40C/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 40V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ40C/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 40V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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