型號: | SMBJ7.0HE3/5B |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件頁數: | 6/6頁 |
文件大小: | 105K |
代理商: | SMBJ7.0HE3/5B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJ78CAHE3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ8.5CHE3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SS10P5-M3/87A | 7 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
SS5P3HG3/86A | 5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
SMV1412BH | 10 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SMBJ75 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 75Vr 600W 5A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 75V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 75V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |