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參數資料
| 型號： | SMBJ75C-E3/52 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | SMBJ75C-E3/52 |
SMBJ5.0 thru SMBJ188CA
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88392
Revision: 04-Sep-07
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5
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 5. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1.0
10
100
0.001
0.01
0.1
100
1.0
10
1000
tp - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Figure 6. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
10
200
100
10
1
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Uni-Directional Only
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
DO-214AA (SMB-J-Bend)
Mounting Pad Layout
0.160 (4.06)
0.180 (4.57)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.205 (5.21)
0.220 (5.59)
0 (0)
0.008 (0.2)
0.130 (3.30)
0.155 (3.94)
0.084 (2.13)
0.096 (2.44)
0.077 (1.95)
0.086 (2.20)
Cathode Band
0.085 (2.159)
MAX.
0.220 REF.
0.086 (2.18)
MIN.
0.060 (1.52)
MIN.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ9.0A-E3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBG5358BE3 | 22 V, 1.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| SMBG5361AE3TR | 27 V, 1.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| SMBG5366BE3TR | 39 V, 1.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| SMBG5375BE3TR | 82 V, 1.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SMBJ75CHE3/2C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75CHE3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75CHE3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75CHE3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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