- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄85403 > SMBJP6KE56TR (MICROSEMI CORP) 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA PDF資料下載
參數資料
| 型號： | SMBJP6KE56TR |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封裝： | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 560K |
| 代理商： | SMBJP6KE56TR |
600 Watt TRANSIENT VOLTAGE
SUPPRESSOR
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 4
Copyright
2004
6-16-2004 REV A
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
SCOTTSD A L E DIVISION
SMBJP6KE6.8 thru SMBJP6KE200CA and
SMBGP6KE6.8 thru SMBGP6KE200CA
SMBJ(G)P6KE6.8-200A
C
–
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
Percent
of
25
o C
Ratin
g
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
FIGURE 3 - Derating Curve
FIGURE 4 – SMBJ(G)P6KE series Typical Capacitance vs.
Breakdown Voltage
PACKAGE DIMENSIONS
SMBJ
SMBG
A
B
C
D
E
F
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.075
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.095
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.90
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.41
6.48
.762
1.520
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
SMBJ
SMBG
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJP6KE6.8C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SDR30U100MTXV | 40 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| SDR622/59TX | 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-59 |
| SDR646CAJTXV | 40 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA |
| SDR9103CTNDB | 100 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-258AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SMBJP6KE6.8A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 10.5V 600W 58.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJP6KE6.8CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 10.5V 600W 58.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJP6KE62A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 85V 600W 7.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJP6KE62CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 85V 600W 7.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJP6KE68A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 92V 600W 6.6A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。