型號: | SMBJP6KE6.8C |
廠商: | MICROSEMI CORP |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件頁數: | 2/4頁 |
文件大小: | 560K |
代理商: | SMBJP6KE6.8C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SDR30U100MTXV | 40 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
SDR622/59TX | 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-59 |
SDR646CAJTXV | 40 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA |
SDR9103CTNDB | 100 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-258AA |
SDR9103DRPS | 100 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-259 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SMBJP6KE68CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 92V 600W 6.6A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE7.5A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 11.3V 600W 54A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE7.5CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 11.3V 600W 54A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE75A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 103V 600W 5.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE75CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 103V 600W 5.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |