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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SMBTA14 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Darlington Transistors |
| 中文描述： | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | SMBTA14 |
SMBTA13/ MMBTA13, SMBTA14/ MMBTA14
1
Feb-18-2002
NPN Silicon Darlington Transistors
High DC current gain
High collector current
Low collector-emitter saturation voltage
1
2
3
VPS05161
Type
Marking
s1M
s1N
Pin Configuration
2 = E
2 = E
Package
SMBTA13/ MMBTA13
SMBTA14/ MMBTA14
1 = B
1 = B
3 = C
3 = C
SOT23
SOT23
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
Unit
Collector-emitter voltage
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
30
V
Collector-base voltage
30
Emitter-base voltage
10
DC collector current
Peak collector current
300
500
mA
mA
Base current
100
Peak base current
200
Total power dissipation
,
T
S
= 81 °C
Junction temperature
330
mW
150
°C
Storage temperature
-65 ... 150
Thermal Resistance
Junction - soldering point
1)
R
thJS
210
K/W
1For calculation of
R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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