型號: | SMCG58E3 |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數: | 2/4頁 |
文件大小: | 198K |
代理商: | SMCG58E3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMCG6050AE3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMCJ5645AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ6047AE3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMBJ10CA-W | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ30C-W | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SMCG6.0 | 制造商:General Instruments 功能描述: |
SMCG6.0/1T | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 1.5KW 6.0V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMCG6.0/57T | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 1500W 6.0V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMCG6.0/9AT | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 1500W 6.0V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMCG6.0A | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT 1500 Watt Transient Voltage Suppressor |