型號(hào): | SMG3D60D |
廠商: | Sanrex Corporation |
英文描述: | THYRISTOR(Surface Mount Device/Non-isolated) |
中文描述: | 晶閘管(表面貼裝設(shè)備/非隔離) |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大小: | 465K |
代理商: | SMG3D60D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMG5C60C | THYRISTOR(Through Hole/Non-isolated) |
SMG5C60D | THYRISTOR(Surface Mount Device/Non-isolated) |
SMG5C60F | THYRISTOR(Through Hole/Isolated) |
SMG5C60H | THYRISTOR(Surface Mount Device/Non-isolated) |
SMG5C60 | THYRISTOR(Throgh Hole/Non-isolated) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMG3J14 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET |
SMG40 | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:ATTENUATOR - VARIABLE VOLTAGE |
SMG400VB101M20CLL | 功能描述:CAP ALUM 100UF 400V 20% RADIAL RoHS:否 類別:電容器 >> 鋁 系列:SMG 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時(shí)為 2000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點(diǎn):通用 紋波電流:1.26A ESR(等效串聯(lián)電阻):- 阻抗:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向,Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑(12.50mm) 高度 - 座高(最大):1.063"(27.00mm) 引線間隔:0.197"(5.00mm) 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝 |
SMG400VB101M22CLL | 功能描述:CAP ALUM 100UF 400V 20% RADIAL RoHS:否 類別:電容器 >> 鋁 系列:SMG 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時(shí)為 2000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點(diǎn):通用 紋波電流:1.26A ESR(等效串聯(lián)電阻):- 阻抗:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向,Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑(12.50mm) 高度 - 座高(最大):1.063"(27.00mm) 引線間隔:0.197"(5.00mm) 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝 |
SMG400VB10M | 制造商:Nippon Chemi-Con 功能描述:400VDC 10uF 20% 115mA 2000hr 85 -40 N/R N/R 20mm 10mm |