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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SN7002W |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | SIPMOS Small-Signal-Transistor |
| 中文描述： | SIPMOS小信號(hào)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | SN7002W |
2003-04-03
Page 1
Final data
SN7002W
SIPMOS
ò
Small-Signal-Transistor
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
d
v
/d
t
rated
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
60
V
A
5
0.23
SOT-323
Gate
pin1
Drain
pin 3
Source
pin 2
Marking
sSN
sSN
Type
SN7002W
SN7002W
Package
SOT-323
Ordering Code
Q67042-S4186
Tape and Reel Information
E6327: 3000 pcs/reel
E6433: 10000 pcs/reel
SOT-323
Q67042-S4193
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Symbol
I
D
Value
0.23
0.18
Unit
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Pulsed drain current
T
A
=25°C
Reverse diode d
v
/d
t
I
D puls
0.92
I
S
=0.23A,
V
DS
=48V, d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=150°C
Gate source voltage
d
v
/d
t
6
kV/μs
V
GS
±20
V
ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883
Power dissipation
Class 1
0.5
T
A
=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
P
tot
W
T
j ,
T
stg
-55... +150
55/150/56
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SN7002 | SIPMOS Small-Signal Transistor |
| SN7401J | QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATES WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS |
| SN74H01H | QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATES WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS |
| SN74H01J | QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATES WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS |
| SN74ABT162841DGG | 20-BIT BUS-INTERFACE D-TYPE LATCHES WITH 3-STATE OUTPUTS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SN7002W E6327 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SN7002W E6433 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SN7002W H6433 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N 60V SOT-323 |
| SN7002W L6327 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SN7002W L6433 | 功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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