型號: | SN74V293-7GGM |
廠商: | Texas Instruments, Inc. |
英文描述: | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
中文描述: | 8192】18,16384】18,32768】18,65536】18的3.3V的CMOS先入先出存儲器 |
文件頁數: | 1/52頁 |
文件大小: | 762K |
代理商: | SN74V293-7GGM |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SN74V293-7PZA | 功能描述:先進先出 65536 x 18 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
SN74V293PZAEP | 功能描述:先進先出 Mil Enhance 65536x18 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
SN74V3640-10PEU | 功能描述:先進先出 1024 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
SN74V3640-15PEU | 功能描述:先進先出 1024 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
SN74V3640-6PEU | 功能描述:先進先出 1024 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |