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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SPA21N50C3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| 中文描述： | 酷馬鞍山⑩功率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/13頁(yè) |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | SPA21N50C3 |
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2003-07-02
Page 1
SPP21N50C3, SPB21N50C3
SPI21N50C3, SPA21N50C3
Final data
Cool MOS
Power Transistor
Feature
New revolutionary high voltage technology
Worldwide best
R
DS(on)
in TO 220
Ultra low gate charge
Periodic avalanche rated
Extreme d
v
/d
t
rated
Ultra low effective capacitances
Improved transconductance
P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)
V
DS
@
T
jmax
R
DS(on)
I
D
560
V
A
0.19
21
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
P-TO220-3-31
P-TO220-3-1
P-TO220-3-31
1
2
3
Marking
21N50C3
21N50C3
21N50C3
21N50C3
Type
SPP21N50C3
Package
P-TO220-3-1
Ordering Code
Q67040-S4565
SPB21N50C3
P-TO263-3-2
Q67040-S4566
SPI21N50C3
P-TO262-3-1
Q67040-S4564
SPA21N50C3
P-TO220-3-31 Q67040-S4585
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
SPA
Continuous drain current
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
21
13.1
21
1)
13.1
1)
A
I
D puls
E
AS
63
63
A
I
D
=10A,
V
DD
=50V
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
2)
I
D
=21A,
V
DD
=50V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
Gate source voltage
690
690
mJ
E
AR
1
1
I
AR
V
GS
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
21
21
A
±20
±
30
208
±20
±
30
34.5
V
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
C
= 25°C
Operating and storage temperature
W
SSPP_B
-55...+150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP21N50C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPB47N10L | SIPMOS Power-Transistor |
| SPI47N10L | SIPMOS Power-Transistor |
| SPP47N10L | SIPMOS Power-Transistor |
| SPB47N10 | SIPMOS Power-Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPA21N50C3XKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP |
| SPA221M04B | 功能描述:CAP ALUM 220UF 4V 20% SMD RoHS:是 類別:電容器 >> 鋁 系列:SPA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時(shí)為 2000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點(diǎn):通用 紋波電流:1.26A ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 阻抗:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引線間隔:0.197"（5.00mm） 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝 |
| SPA221M04R | 功能描述:鋁有機(jī)聚合物電容器 220UF 4V SMT CHIP RoHS:否 制造商:Panasonic Electronic Components 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:2.5 V ESR:4.5 mOhms 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 端接類型:SMD/SMT 外殼直徑: 外殼長(zhǎng)度:7.3 mm 外殼寬度:4.3 mm 外殼高度:1.9 mm 封裝:Reel |
| SPA221M0EB | 功能描述:CAP ALUM 220UF 2.5V 20% SMD RoHS:是 類別:電容器 >> 鋁 系列:SPA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時(shí)為 2000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點(diǎn):通用 紋波電流:1.26A ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 阻抗:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引線間隔:0.197"（5.00mm） 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝 |
| SPA221M0ER | 功能描述:CAP ALUM 220UF 2.5V 20% SMD RoHS:是 類別:電容器 >> 鋁 系列:SPA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時(shí)為 2000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點(diǎn):通用 紋波電流:1.26A ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 阻抗:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引線間隔:0.197"（5.00mm） 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝 |
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