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參數資料
| 型號： | SPB80N03 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | SIPMOS Power Transistor |
| 中文描述： | 80 A, 30 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | SPB80N03 |
1
Semiconductor Group
SPP80N03
SIPMOS
Power Transistor
Product Summary
Drain source voltage
Drain-Source on-state resistance
Continuous drain current
30
V
DS
R
DS(on)
I
D
V
A
0.006
80
Features
N channel
Enhancement mode
Avalanche rated
dvdt rated
175°C operating temperature
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Packaging
Tube
Tabe and Reel
Type
SPP80N03
SPB80N03
Package
P-TO220-3-1 Q67040-S4734-A2
Q67040-S4734-A3
P-TO263-3-2
Ordering Code
Maximum Ratings
, at T
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 °C,
1)
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current
T
C
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 80 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dvdt
I
S
= 80 A,
V
DS
= 24 V,
didt
= 200 A/μs,
T
jmax
= 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
= 25 °C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Symbol
Unit
A
Value
80
80
I
D
I
Dpulse
320
mJ
E
AS
700
30
6
kV/μs
E
AR
dvdt
V
GS
P
tot
±
20
300
V
W
T
j ,
T
stg
°C
-55... +175
55/175/56
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP80N03 | SIPMOS Power Transistor |
| SPC-2001-25 | Surface Mount Splitter |
| SPC08A | 6.5KB Sound Controller |
| SPC11A | 12KB Sound Controller |
| SPC122A | SOUND CONTROLLER WITH 128KB FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SPB80N03L | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Power Transistor |
| SPB80N03S2-03 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB80N03S2-03 G | 功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 80A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPB80N03S203GATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| SPB80N03S2L-03 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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