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參數資料
| 型號： | SPB80N06S2-07 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 415K |
| 代理商： | SPB80N06S2-07 |
2003-05-09
Page 1
SPI80N06S2L-05
SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
max. SMD version
I
D
55
V
m
A
4.5
80
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
P- TO220 -3-1
Marking
2N06L05
2N06L05
2N06L05
Type
SPP80N06S2L-05
Package
P- TO220 -3-1
Ordering Code
Q67040-S4246
SPB80N06S2L-05
SPI80N06S2L-05
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
Q67040-S4256
Q67060-S7422
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
I
D
Value
80
80
Unit
A
T
C
=25°C
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
320
I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
800
mJ
E
AR
d
v
/d
t
30
I
S
=80A,
V
DS
=44V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
300
V
W
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPI80N06S2-08 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPP80N06S2-08 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPB80N06S2-08 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPP80N06S2-09 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPB80N06S2-09 | OptiMOS Power-Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SPB80N06S207NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
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| SPB80N06S2-09 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB80N06S2-H5 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB80N06S2L-05 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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