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參數資料
型號: SPD100N03S2L-04
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 206K
代理商: SPD100N03S2L-04
2003-05-09
Page 1
SPD100N03S2L-04
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
30
V
m
A
4.2
100
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
Excellent Gate Charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Superior thermal resistance
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P-TO252-5-1
Titel:
C:\ARJ\VPT09161.EPS
Erstellt von:
1)
Gate
pin 1
Drain
pin 3,6
Source
pin 4,5
n.c.: pin 2
Marking
PN03L04
Type
SPD100N03S2L-04 P-TO252-5-1
Package
Ordering Code
Q67042-S4128
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
2)
Symbol
Value
Unit
A
T
C
=100°C
I
D
100
100
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
400
I
D
=80A,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
3)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
325
mJ
E
AR
d
v
/d
t
15
I
S
=100A,
V
DS
=24V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
150
V
W
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
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PDF描述
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參數描述
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