- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄31347 > SPD1530C (MICROSEMI CORP-LAWRENCE) 7.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SPD1530C |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 7.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | TO-257, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 24K |
| 代理商： | SPD1530C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPD1550 | 15 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD1515 | 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD1515 | 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD1550 | 15 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD1505C | 7.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPD15N06S2L64 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| SPD15N06S2L-64 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 19A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPD15N06S2L64NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| SPD15N06S2L64T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
| SPD15P10P G | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。